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碳化硅（SiC）器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)本測試系統(tǒng)具有高測試精度、高靈敏度、高可靠性、高安全性的特點，實現(xiàn)碳化硅二極管、MOSFET器件開通時間、關斷時間、快恢復二極管反向恢復時間、反向電流及反向恢復電荷

陜西碳化硅器件測試儀1、設備功能 適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九類半導體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測試

西安靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)供應商技術特征 采用32位嵌入式計算機，運行速度快，擴展能力強，實現(xiàn)脫機運行 采用高速16位并行D/A、A/D和專用并行內部總線技術設計，速度快、穩(wěn)定性高 采用脈沖法測試參數(shù)

陜西半導體分立器件測試系統(tǒng)生產廠家1、設備功能 適用于二極管、三極管、MOS場效應管、結型場效應管、IGBT、整流橋、可控硅、光耦等十三大類半導體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測試 2、運行條件 溫度：25

晶體管測試儀|晶體管測試儀主要技術參數(shù) 系統(tǒng)主要技術參數(shù)列表如下： 主極電壓 2000V(加選件可擴展至3300V) 主極電流 50A(加選件可擴展到100

雪崩測試儀供應商一、概述 用于二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流可達到200A，雪崩電壓測試可達到5000V。設備滿足電壓在5000V及以下范圍內二極管、

三極管測試儀服務1、設備功能 適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九 大類半導體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測試。

碳化硅功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)適用碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數(shù)測試。主要技術參數(shù)：IGBT 開關特性測試????????????????????????????????????

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功率器件動態(tài)參數(shù)測試<p>&nbsp;適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數(shù)測試。<br/>主要技術參數(shù)：IGBT開關特性測試 <br/>

陜西碳化硅測試儀器生產商<p>適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數(shù)測試。<br/>主要技術參數(shù)：IGBT開關特性測試 <br/>開關時間測試條件

碳化硅器件測試銷售<p>主要技術參數(shù)：IGBT開關特性測試 <br/>開關時間測試條件<br/>Ic：50A～1000A&nbsp;&nbsp;&a

陜西功率器件檢測設備供應商<p>實現(xiàn)耐壓2.5KV/2.5KA碳化硅元器件的靜態(tài)全參數(shù)測試，實現(xiàn)測試數(shù)據列表和圖形展示。特大功率碳化硅器件測試系統(tǒng)主要針對新能源、軌道交通及鐵路等方面用碳化

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